Datasheet STP8NK80ZFP - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220FP — Даташит
Наименование модели: STP8NK80ZFP
![]() 60 предложений от 26 поставщиков MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Примечание: MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:800V; On... | |||
STP8NK80ZFP STMicroelectronics | 48 ₽ | ||
STP8NK80ZFP STMicroelectronics | от 204 ₽ | ||
STP8NK80ZFP | от 248 ₽ | ||
STP8NK80ZFP STMicroelectronics | от 361 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220FP
Краткое содержание документа:
STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z
N-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
General features
Type STP8NK80Z STP8NK80ZFP STW8NK80Z
VDSS (@Tjmax) 800 V 800 V 800 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 1.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 300mJ
- Capacitance Ciss Typ: 1320 пФ
- Current Iar: 6.2 А
- Current Id Max: 6.2 А
- On State resistance @ Vgs = 10V: 1.5 Ом
- Тип корпуса: TO-220FP
- Power Dissipation Pd: 30 Вт
- Pulse Current Idm: 24.8 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Voltage Vds: 800 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.5 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS