Datasheet STP9NK60Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 7 А TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP9NK60Z
![]() 50 предложений от 25 поставщиков Транзистор полевой N-канальный +ZD (600V, 7A, 125W, 0.95R) | |||
STP9NK60Z | 74 ₽ | ||
STP9NK60Z STMicroelectronics | от 121 ₽ | ||
STP9NK60Z STMicroelectronics | 124 ₽ | ||
STP9NK60Z STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 7 А TO-220
Краткое содержание документа:
STP9NK60Z - STP9NK60ZFP STB9NK60Z - STB9NK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP9NK60Z STP9NK60ZFP STB9NK60Z STB9NK60Z-1 VDSS 600 600 600 600 V V V V RDS(on) < 0.95 < 0.95 < 0.95 < 0.95 ID 7 7 7 7 A A A A Pw 125 W 30 W 125 W 125 W
1 2
3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 850 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 7 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть