Datasheet STP9NK60Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 7 А TO-220 — Даташит

Купить STP9NK60Z на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 349 ₽ 38 предложений от 20 поставщиков Транзистор полевой N-канальный +ZD (600V, 7A, 125W, 0.95R)
Стандарт СИЗ Россия	STP9NK60Z (ST-STU7NM60N) STMicroelectronics	12 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STP9NK60Z STMicroelectronics	46 ₽	Купить
Промэлектроника Россия и страны СНГ	STP9NK60Z STMicroelectronics	174 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	STP9NK60Z STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 7 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP9NK60Z - STP9NK60ZFP STB9NK60Z - STB9NK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 0.85 - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP9NK60Z STP9NK60ZFP STB9NK60Z STB9NK60Z-1 VDSS 600 600 600 600 V V V V RDS(on) < 0.95 < 0.95 < 0.95 < 0.95 ID 7 7 7 7 A A A A Pw 125 W 30 W 125 W 125 W
1 2
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 850 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 7 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть