Datasheet STQ1HNK60R-AP - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 0.4 А TO92 — Даташит

Купить STQ1HNK60R-AP на РадиоЛоцман.Цены — от 7.01 до 57 ₽ 32 предложений от 16 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,25А; Idm: 1,6А; 3Вт; TO92
ChipWorker Весь мир	STQ1HNK60RAP STMicroelectronics	12 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STQ1HNK60RAP STMicroelectronics	26 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics	от 46 ₽	Купить
727GS Весь мир	STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 0.4 А TO92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD1NK60 - STD1NK60-1
STQ1HNK60R - STN1HNK60
N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223 SuperMESHTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STD1NK60 STD1NK60-1 STQ1HNK60R STN1HNK60

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 8 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-92
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 400 мА
• Тип корпуса: TO-92
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STQ1HNK60RAP, STQ1HNK60R AP