Datasheet STQ1NK60ZR-AP - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 0.3 А TO92 — Даташит

Купить STQ1NK60ZR-AP на РадиоЛоцман.Цены — от 6.28 до 52 ₽ 43 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 400 мА, 13 Ом, TO-92, Through Hole
ЭИК Россия	STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics	от 36 ₽	Купить
Элитан Россия	STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics	36 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics	42 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	STQ1NK60ZR(-AP) STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 0.3 А TO92

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD1LNK60Z-1 STQ1NK60ZR-AP - STN1NK60Z
N-channel 600V - 13 - 0.8A - TO-92 - TO-251 - SOT-223 Zener-Protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STD1LNK60Z-1 STQ1NK60ZR-AP STN1NK60Z
VDSS 600V 600V 600V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 400 мА
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 13 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-92
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 300 мА
• Тип корпуса: TO-92
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STQ1NK60ZRAP, STQ1NK60ZR AP