Datasheet STS11NF30L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить STS11NF30L на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 272 ₽ 29 предложений от 20 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; STripFETTM II; полевой; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
T-electron Россия и страны СНГ	STS11NF30L STMicroelectronics	25 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STS11NF30L STMicroelectronics	51 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	STS11NF30L STMicroelectronics	по запросу	Купить
Контест Россия	STS11NF30L STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
N-CHANNEL 30V - 0.0085 - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFETTM POWER MOSFET
TYPE STS11NF30L
s s s s
STS11NF30L
VDSS 30 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 10.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 11 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 19 МОм
• On State resistance @ Vgs = 10V: 10.5 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 44 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: STS11NF30L
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть