Datasheet STS4DNF60L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N LOGIC REEL 2500 — Даташит

Купить STS4DNF60L на РадиоЛоцман.Цены — от 18 до 368 ₽ 54 предложений от 25 поставщиков MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC. Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO. Transistors - FETs, MOSFETs -...
Romstore Россия, Беларусь	STS4DNF60L	от 81 ₽	Купить
Эиком Россия	STS4DNF60L STMicroelectronics	от 221 ₽	Купить
Триема Россия	STS4DNF60L SO8-150 ST код 4DF60L	368 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	STS4DNF60L STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N LOGIC REEL 2500

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
N-CHANNEL 60V - 0.045 - 4A SO-8 STripFETTM POWER MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STS4DNF60L
STS4DNF60L
Figure 1:Package

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 55 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 4 А
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Format: 1 S1
• Количество приборов в упаковке (ленте): 2500
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 16 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: STS4DNF60L
• Ширина ленты: 12 мм
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 1.7 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01