Datasheet STS6NF20V - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: STS6NF20V
![]() 37 предложений от 19 поставщиков N-channel 20v - 0.030 w - 6a so-8 2.7v-drive stripfetTM ii power mosfet | |||
STS6NF20V STMicroelectronics | 24 ₽ | ||
STS6NF20V STMicroelectronics | 70 ₽ | ||
STS6NF20V STMicroelectronics | от 86 ₽ | ||
STS6NF20V STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
N-CHANNEL 20V - 0.030 - 6A SO-8 2.7V-DRIVE STripFETTM II POWER MOSFET
TYPE STS6NF20V
s s s
STS6NF20V
VDSS 20 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.7 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 6 А
- Fall Time tf: 10 нс
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 40 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: (1+2+3) с, 4 г, (8+7+6+5)D
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 24 А
- Rise Time: 33 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 2.7 В
RoHS: есть