Datasheet STU60N55F3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 55 В 80 А IPAK — Даташит
Наименование модели: STU60N55F3
![]() 13 предложений от 12 поставщиков TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |||
STU60N55F3 STMicroelectronics | 118 ₽ | ||
STU60N55F3 STMicroelectronics | 311 ₽ | ||
STU60N55F3 STMicroelectronics | по запросу | ||
STU60N55F3 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 55 В 80 А IPAK
Краткое содержание документа:
STB60N55F3, STD60N55F3, STF60N55F3 STI60N55F3, STP60N55F3, STU60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 m 80 A, DPAK, IPAK, D2PAK, I2PAK, TO-220 , TO-220FP STripFETTM III Power MOSFET
Features
Type STB60N55F3 STD60N55F3 STF60N55F3 STI60N55F3 STP60N55F3 STU60N55F3
VDSS 55V 55V 55V 55V 55V 55V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 32 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 6.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: I-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 80 А
- Тип корпуса: IPAK
- Power Dissipation Pd: 110 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 55 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть