Datasheet STW20NM60 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 20 А TO-247 — Даташит
Наименование модели: STW20NM60
Купить STW20NM60 на РадиоЛоцман.Цены — от 38 до 836 ₽ 62 предложений от 25 поставщиков N-channel 600v - 0.26? - 20a - to-247 fdmeshTM power mosfet (with fast diode) | |||
Новинка, оригинальный МОП-транзистор STW20NM60 W20NM60 20NM60 или STW20NM60FD W20NM60FD TO-247 20A 600V N-Ch Power MOSFET, | 38 ₽ | ||
STW20NM60FD STMicroelectronics | 69 ₽ | ||
STW20NM60 STMicroelectronics | 325 ₽ | ||
STW20NM60 STMicroelectronics | 407 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 20 А TO-247
Краткое содержание документа:
STB20NM60-1 - STP20NM60FP STB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60
N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAK MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STP20NM60 STP20NM60FP STB20NM60 STB20NM60-1 STW20NM60
VDSS 600V 600V 600V 600V 600V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 250 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 20 А
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 192 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть