Datasheet STW9NK70Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STW9NK70Z

Наименование модели: STW9NK70Z

Купить STW9NK70Z на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 395 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247
T-electron Россия и страны СНГ	STW9NK70Z STMicroelectronics	35 ₽
Akcel Весь мир	STW9NK70Z STMicroelectronics	от 38 ₽
Utmel Весь мир	STW9NK70Z STMicroelectronics	от 39 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	STW9NK70Z	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP9NK70Z - STP9NK70ZFP STB9NK70Z - STB9NK70Z-1 - STW9NK70Z
N-CHANNEL 700V - 1 - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP9NK70Z STP9NK70ZFP STB9NK70Z STB9NK70Z-1 STW9NK70Z
s s s s s s s
VDSS 700 700 700 700 700 V V V V V

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 7.5 А
Drain Source Voltage Vds: 700 В
On State Resistance: 1.2 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 30 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-247
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Альтернативный тип корпуса: SOT-249
Current Id Max: 7.5 А
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -55°C
N-channel Gate Charge: 68nC
Количество транзисторов: 1
On State resistance @ Vgs = 10V: 1.2 Ом
Тип корпуса: TO-247
Power Dissipation Pd: 156 Вт
Pulse Current Idm: 30 А
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
Voltage Vds: 700 В
Voltage Vds Typ: 700 В
Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
Fischer Elektronik - WLK 5