Datasheet STY80NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 74 А MAX247 — Даташит
Наименование модели: STY80NM60N
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Max247 N-CH 600V 74A | |||
STY80NM60N STMicroelectronics | 833 ₽ | ||
STY80NM60N STMicroelectronics | 1 053 ₽ | ||
STY80NM60N STMicroelectronics | по запросу | ||
STY80NM60N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 74 А MAX247
Краткое содержание документа:
STY80NM60N
N-channel 600 V, 0.030 74 A, MDmeshTM II Power MOSFET , Max247
Features
Type STY80NM60N
VDSS @ TJmax 650 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 37 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 30 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: MAX-247
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 74 А
- Тип корпуса: Max-247
- Power Dissipation Pd: 447 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть