Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet STY80NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 74 А MAX247

STMicroelectronics STY80NM60N

Наименование модели: STY80NM60N

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 74 А MAX247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STY80NM60N
N-channel 600 V, 0.030 74 A, MDmeshTM II Power MOSFET , Max247
Features
Type STY80NM60N
VDSS @ TJmax 650 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 37 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 30 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: MAX-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 74 А
  • Тип корпуса: Max-247
  • Power Dissipation Pd: 447 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STY80NM60N - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 74 A MAX247

Цена STY80NM60NSTY80NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 12,96 до 1 653 руб.
22 предложений от 15 поставщиков
Исполнение: Max247. MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Iс(25°C): 80 А; Rси(вкл): 40 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 560 Вт...
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
ТриемаSTMicroelectronicsSTY80NM60N13 руб.
ИнтерияSTY80NM60N414 руб.
ДессиSTMicroelectronicsMOSFET транзистор STY80NM60N1 546 руб.
ЗУМ-ЭКSTMicroelectronicsSTY80NM60Nпо запросу
Бесснаберный FLYBACK с транзисторами 950 В P7
Уникальный подход MORNSUN к разработке DC/DC-преобразователей
Срезы ↓
Новая Инженерная Школа
Новая Инженерная Школа
Курсы и семинары для инженеров, технологов, разработчиков и конструкторов предприятий приборостроения.

Рейтинг@Mail.ru