Datasheet VND14NV04-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N-CH 40 В 12 А DPAK — Даташит
Наименование модели: VND14NV04-E
![]() 29 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 24 А, 0.035 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
VND14NV04-E STMicroelectronics | от 99 ₽ | ||
VND14NV04-E STMicroelectronics | 191 ₽ | ||
VND14NV04-E | по запросу | ||
VND14NV04E STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N-CH 40 В 12 А DPAK
Краткое содержание документа:
VNB14NV04, VND14NV04 VND14NV04-1, VNS14NV04
"OMNIFET II" fully autoprotected Power MOSFET
Features
TYPE VNB14NV04 VND14NV04 VND14NV04-1 VNS14NV04
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 7 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 35 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 12 А
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 74 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 45 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
VND14NV04E, VND14NV04 E