Datasheet VND1NV04TR-E - STMicroelectronics Даташит PWR полевой транзистор 40 В 1.7 А DPAK — Даташит

Купить VND1NV04TR-E на РадиоЛоцман.Цены — от 3.32 до 4 077 ₽ 18 предложений от 14 поставщиков Драйвер FET, Power Switch Lo Side 1Out 1.7A 0.25Ω 3Pin(2+Tab) TO-252 T/R
ChipWorker Весь мир	VND1NV04TR-E STMicroelectronics	23 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	VND1NV04TR-E STMicroelectronics	от 212 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	VND1NV04TR-E STMicroelectronics	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	VND1NV04TR-E STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: PWR полевой транзистор 40 В 1.7 А DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VND1NV04 VNN1NV04 - VNS1NV04
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Features
Parameter Max on-state resistance (per ch.) Current limitation (typ) Drain-source clamp voltage
Symbol RON ILIMH VCLAMP

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 1.7 А
• Тип корпуса: DPAK
• Power Dissipation Pd: 35 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 45 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

VND1NV04TRE, VND1NV04TR E