Datasheet VNN1NV04TR-E - STMicroelectronics Даташит PWR MOSF M0-3 40 В 1.7 А SOT223 — Даташит

Купить VNN1NV04TR-E на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 45 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Микросхема Управление питанием, Power Switch Lo Side 1.7A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
AiPCBA Весь мир	VNN1NV04TR-E STMicroelectronics	35 ₽	Купить
IC Home Весь мир	VNN1NV04TR-E STMicroelectronics	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	VNN1NV04TR-E STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	VNN1NV04TR-E STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: PWR MOSF M0-3 40 В 1.7 А SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VND1NV04 VNN1NV04 - VNS1NV04
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Features
Parameter Max on-state resistance (per ch.) Current limitation (typ) Drain-source clamp voltage
Symbol RON ILIMH VCLAMP

Спецификации:

• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 1.7 А
• Выходной ток: 2.6 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 7 Вт
• Напряжение питания максимальное: 45 В
• Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

Варианты написания:

VNN1NV04TRE, VNN1NV04TR E