Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet VNS14NV04TR-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор OMNIFETII 40 В 12 А SO-8 — Даташит

STMicroelectronics VNS14NV04TR-E

Наименование модели: VNS14NV04TR-E

14 предложений от 13 поставщиков
Драйвер FET, STMICROELECTRONICS VNS14NV04TR-E MOSFET Transistor, N Channel, 7A, 55V, 35mohm, 5V, 2.5V
EIS Components
Весь мир
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
65 ₽
727GS
Весь мир
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
от 104 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
по запросу
Augswan
Весь мир
VNS14NV04TR-E
STMicroelectronics
по запросу

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор OMNIFETII 40 В 12 А SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VNB14NV04, VND14NV04 VND14NV04-1, VNS14NV04
"OMNIFET II" fully autoprotected Power MOSFET
Features
TYPE VNB14NV04 VND14NV04 VND14NV04-1 VNS14NV04
RDS(on)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 35 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 12 А
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 4.6 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 45 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

VNS14NV04TRE, VNS14NV04TR E

На английском языке: Datasheet VNS14NV04TR-E - STMicroelectronics MOSFET OMNIFETII 40 V 12 A SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка