Datasheet VNS7NV04TR-E - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор OMNIFETII 40 В 6 А 8-SOIC — Даташит
Наименование модели: VNS7NV04TR-E
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Драйвер FET, MOSFET OMNIFETII 40V 6A 8-SO | |||
VNS7NV04TR-E STMicroelectronics | 57 ₽ | ||
VNS7NV04TR-E STMicroelectronics | по запросу | ||
VNS7NV04TR-E STMicroelectronics | по запросу | ||
VNS7NV04TR-E STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор OMNIFETII 40 В 6 А 8-SOIC
Краткое содержание документа:
VNN7NV04, VNS7NV04 VND7NV04, VND7NV04-1
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Features
Type VNN7NV04 VNS7NV04 VND7NV04 VND7NV04-1
RDS(on)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 60 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 6 А
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 4.6 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 45 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
VNS7NV04TRE, VNS7NV04TR E