Datasheet STB11NM60N-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А I2PAK — Даташит
Наименование модели: STB11NM60N-1
![]() 10 предложений от 9 поставщиков TO-262-3 Long Leads, I虏Pak, TO-262AA | |||
STB11NM60N-1 STMicroelectronics | по запросу | ||
STB11NM60N-1 STMicroelectronics | по запросу | ||
STB11NM60N-1 STMicroelectronics | по запросу | ||
STB11NM60N-1 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А I2PAK
Краткое содержание документа:
STx11NM60N
N-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK
Features
Type STB11NM60N-1 STB11NM60N STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@TJmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 ID
1 2
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5 А
- On State Resistance: 370 МОм
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: I2-PAK
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Тип корпуса: I2-PAK
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
STB11NM60N1, STB11NM60N 1