AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet STB11NM60N-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А I2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB11NM60N-1

Наименование модели: STB11NM60N-1

10 предложений от 9 поставщиков
TO-262-3 Long Leads, I虏Pak, TO-262AA
IC Home
Весь мир
STB11NM60N-1
STMicroelectronics
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
STB11NM60N-1
STMicroelectronics
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
STB11NM60N-1
STMicroelectronics
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
STB11NM60N-1
STMicroelectronics
по запросу

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А I2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx11NM60N
N-channel 600 V, 0.37 , 10 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK
Features
Type STB11NM60N-1 STB11NM60N STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@TJmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 0.45 ID
1 2

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5 А
  • On State Resistance: 370 МОм
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: I2-PAK
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Тип корпуса: I2-PAK
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STB11NM60N1, STB11NM60N 1

На английском языке: Datasheet STB11NM60N-1 - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 10 A I2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка