Datasheet STB25NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 550 В 22 А D2PAK — Даташит

Купить STB25NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 2 134 ₽ 29 предложений от 21 поставщиков Description - https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/cb/59/90/b6/08/c9/4e/9b/CD00049160.pdf/files/CD00049160.pdf/jcr:content/translations/en.CD00049160.pdf. Датакод - 1148
Компонентс Ру Россия	STB25NM50N STMicroelectronics	от 2 134 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	STB25NM50N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STB25NM50N STMicroelectronics	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	STB25NM50N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 550 В 22 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx25NM50N
N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
Features
Type STB25NM50N STB25NM50N-1 STF25NM50N STP25NM50N STW25NM50N VDSS (@Tjmax) 550 V 550 V 550 V 550 V 550 V RDS(on) max < 0.140 < 0.140 < 0.140 < 0.140 < 0.140 ID
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 110 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть