Datasheet STB25NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 550 В 22 А D2PAK — Даташит

Купить STB25NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 1 172 ₽ 26 предложений от 16 поставщиков N-Channel 500V 0.11om - 22 A _ с диодом. Исполнение: D2-PAK-3
Akcel Весь мир	STB25NM50N STMicroelectronics	от 48 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	APT42F50S (ST-STB25NM50N) STMicroelectronics	69 ₽	Купить
PL-1 Россия	STB25NM50N (B25NM50N)	от 172 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	STB25NM50N_07 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 550 В 22 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx25NM50N
N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
Features
Type STB25NM50N STB25NM50N-1 STF25NM50N STP25NM50N STW25NM50N VDSS (@Tjmax) 550 V 550 V 550 V 550 V 550 V RDS(on) max < 0.140 < 0.140 < 0.140 < 0.140 < 0.140 ID
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On State Resistance: 110 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 30 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть