Datasheet STB30NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 25 А D2PAK — Даташит

Купить STB30NM60ND на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 1 290 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
Maybo Весь мир	STB30NM60ND STMicroelectronics	296 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	STB30NM60ND STMicroelectronics	от 1 290 ₽	Купить
IC Home Весь мир	STB30NM60ND STMicroelectronics	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	STB30NM60ND STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 25 А D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx30NM60ND
N-channel 600 V, 0.11 , 25 A FDmeshTM II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
Features
Type STB30NM60ND STI30NM60ND STF30NM60ND STP30NM60ND STW30NM60ND VDSS @TJ max RDS(on) max ID 25 A 25 A 25 A(1) 25 A 25 A
I PAK

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 110 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 25 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 190 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть