HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STF12NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO-220FP — Даташит

STMicroelectronics STF12NM60N

Наименование модели: STF12NM60N

18 предложений от 11 поставщиков
N-CHANNEL 600V - 0.35mOm - 10A. Исполнение: TO-220FP
Akcel
Весь мир
STF12NM60N
STMicroelectronics
от 19 ₽
PL-1
Россия
STF12NM60N
от 95 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STF12NM60N
STMicroelectronics
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
STF12NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO-220FP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N
N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STB12NM60N STB12NM60N-1 STF12NM60N STP12NM60N STW12NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V 650V RDS(on) < 0.41 < 0.41 < 0.41 < 0.41 < 0.41 ID
1 3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5 А
  • On State Resistance: 350 МОм
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-220FP
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Тип корпуса: TO-220FP
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STF12NM60N - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 10 A TO-220FP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России