Datasheet STF25NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220FP — Даташит

Купить STF25NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 82 до 338 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 500V 0.11Ω - 22A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
ChipWorker Весь мир	STF25NM50N STMicroelectronics	104 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	STF25NM50N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STF25NM50N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	STF25NM50N	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220FP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB25NM50N/-1 - STF25NM50N STP25NM50N - STW25NM50N
N-channel 500V - 0.11 - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB25NM50N STB25NM50N-1 STF25NM50N STP25NM50N STW25NM50N VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V 550V RDS(on) <0.140 <0.140 <0.140 <0.140 <0.140 ID
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 22 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 140 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Корпус транзистора: TO-220FP
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 350mJ
• Current Id Max: 22 А
• On State resistance @ Vgs = 10V: 140 МОм
• Тип корпуса: TO-220FP
• Power Dissipation Pd: 40 Вт
• Pulse Current Idm: 88 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds: 500 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS