Datasheet STF25NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220FP — Даташит
Наименование модели: STF25NM60N
Купить STF25NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 127 до 372 ₽ 15 предложений от 8 поставщиков MOSFET транзистор: N-ch, 600В, 21А | |||
STF25NM60N STMicroelectronics | от 127 ₽ | ||
STF25NM60N STMicroelectronics | от 130 ₽ | ||
STF25NM60N TO220F ST | 372 ₽ | ||
STF25NM60N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220FP
Краткое содержание документа:
STB25NM60N/-1 - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N
N-channel 600V - 0.140 - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB25NM60N STB25NM60N-1 STF25NM60N STP25NM60N STW25NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.170 <0.170 <0.170 <0.170 <0.170 ID
3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 170 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Корпус транзистора: TO-220FP
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 850mJ
- Current Id Max: 21 А
- On State resistance @ Vgs = 10V: 170 МОм
- Тип корпуса: TO-220FP
- Power Dissipation Pd: 40 Вт
- Pulse Current Idm: 80 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 600 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS