Datasheet STP11NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP11NM60N
Купить STP11NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 257 ₽ 15 предложений от 8 поставщиков MOSFET транзистор: N-ch, 600В, 10А | |||
STP11NM60N STMicroelectronics | от 25 ₽ | ||
STP11NM60N STMicroelectronics | от 25 ₽ | ||
STP11NM60N STMicroelectronics | по запросу | ||
STP11NM60N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
STD11NM60N - STD11NM60N-1 STP11NM60N - STF11NM60N
N-channel 600V - 0.37 - 10A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.45 <0.45 <0.45 <0.45 ID
3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On State Resistance: 450 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Корпус транзистора: TO-220
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 200mJ
- Capacitance Ciss Typ: 850 пФ
- Current Iar: 3.5 А
- Current Id Max: 10 А
- On State resistance @ Vgs = 10V: 450 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Pulse Current Idm: 40 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 650 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5