Datasheet STP12NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP12NM60N
![]() 19 предложений от 12 поставщиков N-CHANNEL 600V - 0.35mOm - 10A. Исполнение: TO-220 | |||
STP12NM60N STMicroelectronics | 88 ₽ | ||
Транзистор полевой STP12NM60N | 285 ₽ | ||
STP12NM60N STMicroelectronics | по запросу | ||
STP12NM60N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO-220
Краткое содержание документа:
STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N
N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STB12NM60N STB12NM60N-1 STF12NM60N STP12NM60N STW12NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V 650V RDS(on) < 0.41 < 0.41 < 0.41 < 0.41 < 0.41 ID
1 3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5 А
- On State Resistance: 350 МОм
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Тип корпуса: TO-220
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть