Datasheet STP23NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 19 А TO-220 — Даташит

Купить STP23NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 175 до 604 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Maybo Весь мир	STP23NM60N STMicroelectronics	180 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	STP23NM60N STMicroelectronics	309 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STP23NM60N	по запросу	Купить
727GS Весь мир	STP23NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 19 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB23NM60N-STF23NM60N STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STB23NM60N STI23NM60N STF23NM60N STP23NM60N STW23NM60N
1.

Limited only by maximum temperature allowed

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 9.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 150 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 19 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 35 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть