Datasheet STP23NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 19 А TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP23NM60N
Купить STP23NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 54 до 201 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков MOSFET N-CH 600V 19A TO-220 | |||
STP22NF03L STP22NM60N STP23N80K5 STP23NM50N STP23NM60N STP240N10F7 STP24N60M2 STP24N65M2 STP24NF10 stp24m220 | 54 ₽ | ||
STP23NM60N STMicroelectronics | от 136 ₽ | ||
STP23NM60N STMicroelectronics | по запросу | ||
STP23NM60N | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 19 А TO-220
Краткое содержание документа:
STB23NM60N-STF23NM60N STI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60N
N-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STB23NM60N STI23NM60N STF23NM60N STP23NM60N STW23NM60N
1.
Limited only by maximum temperature allowed
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 150 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 19 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть