HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STW55NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 51 А TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STW55NM60N

Наименование модели: STW55NM60N

12 предложений от 6 поставщиков
MOSFET N-Channel 600V Power MDmesh
Akcel
Весь мир
STW55NM60N
STMicroelectronics
от 272 ₽
Utmel
Весь мир
STW55NM60N
STMicroelectronics
от 276 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STW55NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Acme Chip
Весь мир
STW55NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 51 А TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STW55NM60N
N-channel 600 V, 0.047 , 51 A, MDmeshTM II Power MOSFET TO-247
Features
Type STW55NM60N
VDSS (@Tjmax) 650 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 25.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 47 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 51 А
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 350 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STW55NM60N - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 51 A TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России