Datasheet STB25NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить STB25NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 24 до 76 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков TO-263-3, D虏Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Maybo Весь мир	STB25NM60N-1 STMicroelectronics	76 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	STB25NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	STB25NM60N MOS STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STB25NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB25NM60Nx - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N
N-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
Features
Type STB25NM60N STB25NM60N-1 STF25NM60N STP25NM60N STW25NM60N VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max < 0.160 < 0.160 < 0.160 < 0.160 < 0.160 ID
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On State Resistance: 170 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 850mJ
• Capacitance Ciss Typ: 2540 пФ
• Current Iar: 10 А
• Current Id Max: 21 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• On State resistance @ Vgs = 10V: 170 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Pulse Current Idm: 80 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5