Datasheet STB60NF06T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит
Наименование модели: STB60NF06T4
![]() 40 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
STB60NF06T4 STMicroelectronics | от 61 ₽ | ||
STB60NF06T4 STMicroelectronics | 148 ₽ | ||
STB60NF06T4 STMicroelectronics | 152 ₽ | ||
STB60NF06T4 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK
Краткое содержание документа:
STB60NF06 STB60NF06-1
N-channel 60V - 0.014 - 60A - D2PAK/I2PAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB60NF06-1 STB60NF06
VDSS 60V 60V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 16 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 360mJ
- Capacitance Ciss Typ: 1810 пФ
- Current Iar: 30 А
- Current Id Max: 60 А
- Температура перехода максимальная: 175°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- On State resistance @ Vgs = 10V: 16 МОм
- Тип корпуса: D2-PAK
- Power Dissipation Pd: 110 Вт
- Pulse Current Idm: 240 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5