Datasheet STB9NK60ZDT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, D2-PAK — Даташит

Купить STB9NK60ZDT4 на РадиоЛоцман.Цены — от 72 до 198 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, N-CHANNEL 600V - 0.85Ω - 7A TO-220/TO-220FP/D2PAK FAST DIODE SUPERMESH MOSFET
727GS Весь мир	STB9NK60ZDT4 STMicroelectronics	от 72 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	STB9NK60ZDT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	STB9NK60ZDT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STB9NK60ZDT4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB9NK60ZD STF9NK60ZD - STP9NK60ZD
N-channel 600V - 0.85 - 7A - D2PAK/TO-220FP/TO-220 SuperFREDMeshTM Power MOSFET
General features
Type STB9NK60ZD STF9NK60ZD STP9NK60ZD
VDSS 600V 600V 600V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 950 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Корпус транзистора: D2-PAK
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 235mJ
• Capacitance Ciss Typ: 1110 пФ
• Current Iar: 7 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• On State resistance @ Vgs = 10V: 950 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Pulse Current Idm: 28 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 15V/ns
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.5 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 2.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5