Datasheet STE180NE10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N SOT-227B лампа 10 — Даташит
Наименование модели: STE180NE10
12 предложений от 11 поставщиков МОП-транзистор N-Ch 100 Volt 180 A | |||
STE180NE10 STMicroelectronics | по запросу | ||
STE180NE10 STMicroelectronics | по запросу | ||
STE180NE10 STMicroelectronics | по запросу | ||
STE180NE10 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N SOT-227B лампа 10
Краткое содержание документа:
STE180NE10
N-CHANNEL 100V - 4.5 m - 180A ISOTOP STripFETTM POWER MOSFET
TYPE STE180NE10
s s s s s
VDSS 100 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 6 МОм
- Корпус транзистора: ISOTOP
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 38 мм
- Внешняя длина / высота: 12.2 мм
- Внешняя ширина: 25.4 мм
- Fixing Centres: 31.6 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Напряжение изоляции: 2.5 кВ
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: ISOTOP
- Power Dissipation Pd: 360 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 360 Вт
- Pulse Current Idm: 540 А
- Способ монтажа: 4 мм Screw
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex