Datasheet STS2DPFS20V - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Купить STS2DPFS20V на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 357 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков P-CHANNEL 20V - 0.14 ohm - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET?„? II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
727GS Весь мир	STS2DPFS20V STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STS2DPFS20V STMicroelectronics	по запросу	Купить
SUV System Весь мир	STS2DPFS20V STMicroelectronics	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	STS2DPFS20V STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFETTM II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS 20 V SCHOTTKY IF(AV) 3A RDS(on) < 0.20 (@4.5V) < 0.25 (@2.7V) VRRM 30 V ID 2.5 A VF(MAX) 0.51 V
STS2DPFS20V
DESCRIPTION This product associates the latest low voltage StripFEToe in p-channel version to a low drop Schottky diode.

Such configuration is extremely versatile in implementing, a large variety of DC-DC converters for printers, portable equipment, and cellular phones.
SO-8

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 200 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 315 пФ
• Current Id Max: 2.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 0.6 В

RoHS: есть