Datasheet STS2DPFS20V - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Купить STS2DPFS20V на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 357 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков P-channel 20v - 0.14 w - 2.5a so-8 2.7v-drive stripfetTM ii mosfet plus schottky diode
ChipWorker Весь мир	STS2DPFS20V STMicroelectronics	21 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	STS2DPFS20V-E STMicroelectronics	по запросу	Купить
727GS Весь мир	STS2DPFS20V STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STS2DPFS20V STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFETTM II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS 20 V SCHOTTKY IF(AV) 3A RDS(on) < 0.20 (@4.5V) < 0.25 (@2.7V) VRRM 30 V ID 2.5 A VF(MAX) 0.51 V
STS2DPFS20V
DESCRIPTION This product associates the latest low voltage StripFEToe in p-channel version to a low drop Schottky diode.

Such configuration is extremely versatile in implementing, a large variety of DC-DC converters for printers, portable equipment, and cellular phones.
SO-8

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 200 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 315 пФ
• Current Id Max: 2.5 А
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 0.6 В

RoHS: есть