Datasheet STS6PF30L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: STS6PF30L
STS6PF30L STMicroelectronics | по запросу | ||
STS6PF30L STMicroelectronics | по запросу | ||
STS6PF30L STMicroelectronics | по запросу | ||
STS6PF30L STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
P-CHANNEL 30V - 0.027 - 6A SO-8 STripFETTM POWER MOSFET
TYPE STS6PF30L
s s
STS6PF30L
VDSS 30 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 6 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 30 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: -16 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 6 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 24 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: STS6PF30L
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть