Datasheet STD11NM60N-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK — Даташит

Купить STD11NM60N-1 на РадиоЛоцман.Цены 10 предложений от 9 поставщиков TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
727GS Весь мир	STD11NM60N-1 STMicroelectronics	от 462 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	STD11NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STD11NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STD11NM60N-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD11NM60N - STD11NM60N-1 STP11NM60N - STF11NM60N
N-channel 600V - 0.37 - 10A - TO-220 - TO-220FP- IPAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STD11NM60N STD11NM60N-1 STF11NM60N STP11NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.45 <0.45 <0.45 <0.45 ID
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On State Resistance: 450 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Корпус транзистора: I-PAK
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 200mJ
• Capacitance Ciss Typ: 850 пФ
• Current Iar: 3.5 А
• Current Id Max: 10 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.25°C/W
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 100 Вт
• Pulse Current Idm: 40 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

STD11NM60N1, STD11NM60N 1