Datasheet STD2HNK60Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 2 А DPAK — Даташит
Наименование модели: STD2HNK60Z
![]() 57 предложений от 26 поставщиков MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2 А; Rси(вкл): 4.8 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30... | |||
STD2HNK60Z STMicroelectronics | от 49 ₽ | ||
STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics | от 81 ₽ | ||
STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics | от 465 ₽ | ||
STD2HNK60Z-1 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 2 А DPAK
Краткое содержание документа:
STD2HNK60Z - STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR-AP
N-channel 600V - 4.4 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
General features
Type STD2HNK60Z STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z STQ2HNK60ZR-AP
VDSS 600V 600V 600V 600V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1 А
- On State Resistance: 4.4 Ом
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Тип корпуса: DPAK
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть