Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet STD8NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 7 А DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD8NM60N

Наименование модели: STD8NM60N

9 предложений от 9 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK. N-Channel 600V 7A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Рутоника
Россия и страны СНГ
STD8NM60N
STMicroelectronics
84 ₽
МосЧип
Россия
STD8NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
STD8NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Augswan
Весь мир
STD8NM60N-1
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 7 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx8NM60N
N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK
Features
Type STB8NM60N STD8NM60N STD8NM60N-1 STF8NM60N STP8NM60N VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max < 0.65 < 0.65 < 0.65 < 0.65 < 0.65 ID
3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.5 А
  • On State Resistance: 560 МОм
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Тип корпуса: DPAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STD8NM60N - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 7 A DPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка