Datasheet STP21NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220 — Даташит

Купить STP21NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 544 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET | MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
ЗУМ-СМД Россия	STP21NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
IC Home Весь мир	STP21NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STP21NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	STP21NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP21NM60N-STF21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N - STB21NM60N-1
N-CHANNEL 600V - 0.19 - 17 A TO-220/FP/DІ/IІPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmeshTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STB21NM60N STB21NM60N-1 STF21NM60N STP21NM60N STW21NM60N
Figure 1: Package

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 17 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 220 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Корпус транзистора: TO-220
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 610mJ
• Capacitance Ciss Typ: 1950 пФ
• Current Iar: 8.5 А
• Current Id Max: 17 А
• On State resistance @ Vgs = 10V: 220 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 140 Вт
• Pulse Current Idm: 64 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds: 600 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS