Datasheet STP30NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 25 А TO-220 — Даташит

Купить STP30NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 348 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
T-electron Россия и страны СНГ	STP30NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	STP30NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	STP30NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	STP30NM60N STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 25 А TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N STP30NM60N, STW30NM60N
N-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK
Features
Type STB30NM60N STI30NM60N STF30NM60N STP30NM60N STW30NM60N VDSS @ TJmax 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max <0.13 <0.13 <0.13 <0.13 <0.13 ID 25A 25A 25A(1) 25A 25A PW 190 W 190 W 40 W 190 W 190 W
3 1 2

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 25 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 190 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть