Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet STP30NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 25 А TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP30NM60N

Наименование модели: STP30NM60N

12 предложений от 6 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Utmel
Весь мир
STP30NM60N
STMicroelectronics
от 280 ₽
Akcel
Весь мир
STP30NM60N
STMicroelectronics
от 285 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STP30NM60N
STMicroelectronics
по запросу
STP30NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 25 А TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N STP30NM60N, STW30NM60N
N-channel 600 V, 0.1 , 25 A, MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK, I2PAK
Features
Type STB30NM60N STI30NM60N STF30NM60N STP30NM60N STW30NM60N VDSS @ TJmax 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max <0.13 <0.13 <0.13 <0.13 <0.13 ID 25A 25A 25A(1) 25A 25A PW 190 W 190 W 40 W 190 W 190 W
3 1 2

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 100 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 25 А
  • Тип корпуса: TO-220
  • Power Dissipation Pd: 190 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STP30NM60N - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 25 A TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России