Datasheet STS7PF30L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, P, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: STS7PF30L
![]() 14 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STS7PF30L MOSFET Transistor, P Channel, 7A, -30V, 0.016Ω, 10V, 1.6V | |||
STS7PF30L STMicroelectronics | 77 ₽ | ||
STS7PF30L STMicroelectronics | 170 ₽ | ||
STS7PF30L STMicroelectronics | по запросу | ||
STS7PF30L MOS STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, P, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
STS7PF30L
P-CHANNEL 30V - 0.016 - 7A SO-8 STripFETTM II POWER MOSFET
PRELIMINARY DATA TYPE STS7PF30L
s s
VDSS 30 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 7 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 21 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Voltage Vgs Max: 1.6 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 7 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 28 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: STS7PF30L
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть