Datasheet STW21NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STW21NM60N

Наименование модели: STW21NM60N

Купить STW21NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 133 до 788 ₽ 13 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
Akcel Весь мир	STW21NM60N STMicroelectronics	от 133 ₽
Utmel Весь мир	STW21NM60N STMicroelectronics	от 136 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	STW21NM60N	по запросу
ЗУМ-СМД Россия	STW21NM60N STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP21NM60N-STF21NM60N-STW21NM60N STB21NM60N - STB21NM60N-1
N-CHANNEL 600V - 0.19 - 17 A TO-220/FP/DІ/IІPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmeshTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STB21NM60N STB21NM60N-1 STF21NM60N STP21NM60N STW21NM60N
Figure 1: Package

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 17 А
Drain Source Voltage Vds: 660 В
On State Resistance: 220 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 25 В
Корпус транзистора: TO-247
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Current Id Max: 17 А
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -55°C
N-channel Gate Charge: 66.6nC
Количество транзисторов: 1
On State resistance @ Vgs = 10V: 220 МОм
Тип корпуса: TO-247
Power Dissipation Pd: 140 Вт
Pulse Current Idm: 64 А
Rate of Voltage Change dv / dt: 48V/ns
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Voltage Vds: 660 В
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
Fischer Elektronik - WLK 5