Datasheet STW25NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-247 — Даташит
Наименование модели: STW25NM60N
Купить STW25NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 111 до 66 437 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh | |||
| STW25NM60N STMicroelectronics | от 111 ₽ | ||
| STW25NM60N STMicroelectronics | 302 ₽ | ||
| STW25NM60N STMicroelectronics | 308 ₽ | ||
| STW25NM60N STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
STB25NM60N/-1 - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N
N-channel 600V - 0.140 - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB25NM60N STB25NM60N-1 STF25NM60N STP25NM60N STW25NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.170 <0.170 <0.170 <0.170 <0.170 ID
3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On State Resistance: 170 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 20 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 84nC
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 170 МОм
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 160 Вт
- Pulse Current Idm: 80 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 48V/ns
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 650 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
