Datasheet 2SJ668(TE16L1,NQ) - Toshiba Даташит Полевой транзистор P CH 5 А 60 В DPAK — Даташит

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор P CH 5 А 60 В DPAK

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: -60 В
• On Resistance Rds(on): 170 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: -5 А
• Тип корпуса: PW-MOLD
• Рассеиваемая мощность: 20 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Toshiba - 2SJ668(TE16L1,NQ)

Варианты написания:

2SJ668(TE16L1NQ), 2SJ668(TE16L1 NQ)