Datasheet 2SK1119(F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: 2SK1119(F)
![]() 21 предложений от 21 поставщиков Транзистор полевой 2SK1119 N-CH; 1000V; 4A; TO-220 | |||
2SK1119 Toshiba | 71 ₽ | ||
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ 2SK1119 Toshiba | 84 ₽ | ||
2SK1119(F) Toshiba | 1 038 ₽ | ||
2SK1119TO220 Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4 А
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On State Resistance: 3.8 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220AB
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Pulse Current Idm: 12 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.5 В
- Voltage Vds Typ: 1 кВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS