Datasheet 2SK2611(F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N, TO-3P — Даташит
Наименование модели: 2SK2611(F)
![]() 38 предложений от 26 поставщиков TRANSISTOR 9 A, 900 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, SC-65, 3 PIN, FET General Purpose Power... | |||
2SK2611 MOSFET N-Ch 900V 9A 150W Toshiba | 161 ₽ | ||
2SK2611 MOSFET N-Ch 900V 9A 150W | 168 ₽ | ||
2SK2611 | 719 ₽ | ||
2SK2611 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N, TO-3P
Краткое содержание документа:
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 900 В
- On State Resistance: 1.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 9 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 5.45 мм
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Pulse Current Idm: 27 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 900 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5