Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet 2SK2613(F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 8 А 1000 В TO3P — Даташит

Toshiba 2SK2613(F)

Наименование модели: 2SK2613(F)

15 предложений от 13 поставщиков
TRANSISTOR 8 A, 1000 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN, FET General Purpose Power
Lixinc Electronics
Весь мир
2SK2613
ON Semiconductor
от 18 ₽
727GS
Весь мир
2SK2613
ON Semiconductor
от 18 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
2SK2613
по запросу
2SK2613_06
Toshiba
по запросу

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор N CH 8 А 1000 В TO3P

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
  • On State Resistance: 1.7 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: TO-3P
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 8 А
  • Тип корпуса: TO-3P
  • Power Dissipation Pd: 150 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 1 кВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet 2SK2613(F) - Toshiba MOSFET N CH 8 A 1000 V TO3P

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка