Datasheet 2SK2613(F) - Toshiba Даташит Полевой транзистор N CH 8 А 1000 В TO3P — Даташит
Наименование модели: 2SK2613(F)
![]() 15 предложений от 13 поставщиков TRANSISTOR 8 A, 1000 V, 1.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | |||
2SK2613 ON Semiconductor | от 18 ₽ | ||
2SK2613 ON Semiconductor | от 18 ₽ | ||
2SK2613 | по запросу | ||
2SK2613_06 Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор N CH 8 А 1000 В TO3P
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
- On State Resistance: 1.7 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-3P
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 8 А
- Тип корпуса: TO-3P
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 1 кВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть