Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet 2SK3561 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220SIS — Даташит

Toshiba 2SK3561

Наименование модели: 2SK3561

20 предложений от 17 поставщиков
TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power...
2SK3561 (ST-STP5NK50ZFP)
STMicroelectronics
12 ₽
AliExpress
Весь мир
МОП-транзистор 2SK3561 K3561, 2SK3560, 2SK3562, 2SK3563, 2SK3564 или 2SK3565 TO-220F 8A 500 в
28 ₽
AiPCBA
Весь мир
2SK3561Q
Toshiba
91 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
Транзистор 2SK3561
3 754 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220SIS

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2SK3561
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK3561
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 850 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: TO-220SIS
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 8 А
  • Тип корпуса: TO-220SIS
  • Power Dissipation Pd: 40 Вт
  • Pulse Current Idm: 32 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS

На английском языке: Datasheet 2SK3561 - Toshiba MOSFET, N, 500 V, TO-220SIS

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России