Datasheet 2SK3561 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220SIS — Даташит

Купить 2SK3561 на РадиоЛоцман.Цены — от 80 до 120 ₽ 19 предложений от 19 поставщиков МОП-транзистор N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm
Контест Россия	2SK3561(Q,M) Toshiba	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	2SK3561Q Toshiba	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	2SK3561 Toshiba	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	2SK3561 Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220SIS

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2SK3561
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK3561
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On State Resistance: 850 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Корпус транзистора: TO-220SIS
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 8 А
• Тип корпуса: TO-220SIS
• Power Dissipation Pd: 40 Вт
• Pulse Current Idm: 32 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS