Datasheet 2SK3561 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220SIS — Даташит
Наименование модели: 2SK3561
Купить 2SK3561 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 3 754 ₽ 20 предложений от 17 поставщиков TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power... | |||
2SK3561 (ST-STP5NK50ZFP) STMicroelectronics | 12 ₽ | ||
МОП-транзистор 2SK3561 K3561, 2SK3560, 2SK3562, 2SK3563, 2SK3564 или 2SK3565 TO-220F 8A 500 в | 28 ₽ | ||
2SK3561Q Toshiba | 91 ₽ | ||
Транзистор 2SK3561 | 3 754 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220SIS
Краткое содержание документа:
2SK3561
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK3561
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On State Resistance: 850 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-220SIS
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 8 А
- Тип корпуса: TO-220SIS
- Power Dissipation Pd: 40 Вт
- Pulse Current Idm: 32 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS