Datasheet 2SK3567 - Toshiba Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220SIS — Даташит
Наименование модели: 2SK3567
![]() 56 предложений от 29 поставщиков Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 35Вт (рекомендуемая замена: TK4A60DA) | |||
2SK3567(Q) | от 43 ₽ | ||
2SK3567 | от 102 ₽ | ||
2SK3567 Toshiba | по запросу | ||
2SK3567-Q Toshiba | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220SIS
Краткое содержание документа:
2SK3567
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI)
2SK3567
Switching Regulator Applications
· · · · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Unit: mm
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 2.2 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-220SIS
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3.5 А
- Тип корпуса: TO-220SIS
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Pulse Current Idm: 14 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS